IGBT(Insulated Gate bipolar Transistor)는 전력용 반도체의 일종으로 정확하게 고전력 스위칭용 반도체를 뜻한다.

전기의 흐름을 막거나 통하게 하는 스위칭 기능은 다른 부품이나 회로로도 구현할 수 있지만 정밀한 동작을 필요로 하는 제품일수록 동작속도가 빠르고 전력의 손실이 적은 전용부품을 필요로 하게 된다.

그러나 기존 스위칭반도체인 트랜지스터는 가격이 저렴한 대신 회로구성이 복잡하고 동작속도가 느린 단점이 있고, MOSFET는 저전력이고 속도가 빠른 대신 비싼 단점이 있다.

IGBT는 바로 이 두 제품의 장점만을 결합한 제품으로 평가받고 있다.