|
|
ÇöÀçÀ§Ä¡ : HOME > ±âŸ»óÇ° > ¹ÝµµÃ¼ > ÀÚ·á½Ç |
|
|
|
|
|
¹ÙÀÌÆú·¯ Tr.¶õ ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅÍ(bipolar transistor)¸¦ ¸»Çϸç Àϸí Á¢ÇÕÇü Æ®·£Áö½ºÅͶó°íµµ ºÎ¸£´Âµ¥ ÀüÀÚ¿Í Á¤°ø(hole)ÀÇ µÎ °¡Áö ij¸®¾î°¡ Àü·ù¿¡ °ü¿©ÇØ ±× ½Ö¹æÀÇ À̵¿¿¡ ÀÇÁ¸ÇØ µ¿ÀÛÇÏ´Â Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ¸»ÇÑ´Ù. ¡¡ Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â Å©°Ô ¹ÙÀÌÆú·¯ Tr.¿Í Àü°èÈ¿°ú Tr.(field effect transistor:FET)·Î ³ª´µ¸ç ¹ÙÀÌÆú·¯ Tr.´Â MOS(metal oide semiconductor) Tr.¿ÍÇÔ²² ¿À´Ã³¯ÀÇ ¹ÝµµÃ¼. ÁýÀûȸ·Î»ê¾÷ÀÇ ±Ù°£ÀÌ µÇ´Â Áß¿äÇÑ ¹ÝµµÃ¼¼ÒÀÚÀÌ´Ù. MOS Àü°è È¿°ú Tr.(MOS FET)´Â Àü·ù¸¦ Àü´ÞÇϴ ij¸®¾î°¡ ÀüÀÚ ¶Ç´Â Á¤°ø(¹ÝµµÃ¼ °¡ÀüÀÚÀÇ ºóÀÚ¸®)ÀÇ ÇÑÂÊ »ÓÀÎ °Í¿¡ ´ëÇØ ¹ÙÀÌÆú·¯ Tr.´Â ±× ±âº»µ¿ÀÛ¿¡ ÀüÀÚ.Á¤°øÀÇ ¾çÂÊ Ä³¸®¾î°¡ ±â¿©ÇÏ°í Àֱ⠶§¹®¿¡ ½Ö±Ø¼ºÀ» ÀǹÌÇÏ´Â ¹ÙÀÌÆú·¯¶ó´Â À̸§ÀÌ ºÙ¿©Áö°Ô µÆ´Ù. ¡¡ ¹ÙÀÌÆú·¯Tr.´Â °íÁÖÆÄ¿ë Æ®·£Áö½ºÅÍ, ´ëÀü·Â¿ë Æ®·£Áö½ºÅÍ, ±×¸®°í npnÆ®·£Áö½ºÅÍ¿Í pnpÆ®·£Áö½ºÅ͸¦ Á¶ÇÕÇÑ pnpn±¸Á¶ÀÇ »çÀ̸®½ºÅÍ µîÀ¸·Î ¾Æ³¯·Î±×ȸ·Î, µðÁöÅÐȸ·Î, ´ëÀü·Â ½ºÀ§ÄªÈ¸·Î µî¿¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖÀ¸¸ç ¹ÙÀÌÆú·¯ IC/LSI´ÂÄÄÇ»Åͳª Åë½Å¿ëÀÇ ÃÊ°í¼Ó µðÁöÅÐ IC·Î¼ ¶Ç ÀúÀâÀ½ Ư¼º µîÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ¿Àµð¿À³ª TV,VCR¿ëÀÇ ¸®´Ï¾î IC·Î¼ ÀüÀÚ »ê¾÷ÀÇ ¸Å¿ì Áß¿äÇÑ ºÎÇ°À¸·Î Ãë±ÞµÇ°í ÀÖ´Ù. ¡¡ ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â ÀÏÂî±â 1947³â ¹Ì±¹ º§¿¬±¸¼ÒÀÇ ºê·¡Æ°(J. Brattain)°ú ¹Ùµò(W. H. Bardeen)¿¡ ÀÇÇØ °Ô¸£¸¶´½ ´Ü°áÁ¤ÀÇ Á¤À¯Æ¯¼º ¿¬±¸Áß¿¡ ÈùÆ®¸¦ ¾ò¾î ¹ß¸íÇÑ °ÍÀε¥ ÀÌ Á¡Á¢ ÃËÇü Æ®·£Áö½ºÅÍ(point contact transistor)´Â 1949³â ¼îÅ©¸®(W. Shockley)¿¡ ÀÇÇÑ ÇÕ±ÝÁ¢ÇÕÇü Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ Á¦¾ÈµÅ ¾ç»ê °¡´ÉÇÑ ±¸Á¶ÀÇ Æ®·£Áö½ºÅÍ·Î °³¹ßµÆ´Ù.
| |
|
|
|
|
|
|
|
|